رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PMV55ENEAR
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PMV55ENEAR-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 3.1A (Ta) 478mW (Ta), 8.36W (Tc) Surface Mount TO-236AB
المخزون:
4625 قطع جديدة أصلية في المخزون
12830229
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PMV55ENEAR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.1A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.7V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
646 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
478mW (Ta), 8.36W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-236AB
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
PMV55
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
568-12973-6-DG
1727-2534-2-DG
568-12973-1
1727-2534-1-DG
934068714215
PMV55ENEAR-DG
1727-PMV55ENEARTR
568-62973-6
1727-2534-2
1727-2534-1
1727-2534-6-DG
1727-2534-6
1727-PMV55ENEARDKR
568-62973-6-DG
5202-PMV55ENEARTR
568-12973-2-DG
568-12973-1-DG
1727-PMV55ENEARCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PHK12NQ03LT,518
MOSFET N-CH 30V 11.8A 8SO
BUK9Y72-80E,115
MOSFET N-CH 80V 15A LFPAK56
PMZB950UPELYL
MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
