رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PSMN011-30YLC,115
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PSMN011-30YLC,115-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 37A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
المخزون:
13780 قطع جديدة أصلية في المخزون
12830532
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PSMN011-30YLC,115 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
37A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.95V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
641 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
29W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
LFPAK56, Power-SO8
العبوة / العلبة
SC-100, SOT-669
رقم المنتج الأساسي
PSMN011
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
1727-6495-2
1727-6495-1
934066011115
1727-6495-6
568-8526-1-DG
568-8526-2-DG
PSMN01130YLC115
568-8526-6
5202-PSMN011-30YLC,115TR
568-8526-2
568-8526-6-DG
568-8526-1
PSMN011-30YLC,115-DG
PSMN011-30YLC115
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PMPB11EN,115
MOSFET N-CH 30V 9A DFN2020MD-6
NX7002BKR
MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
PSMN018-100ESFQ
MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK
