رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PSMN1R1-30EL,127
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PSMN1R1-30EL,127-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
المخزون:
12833104
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PSMN1R1-30EL,127 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
243 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
14850 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
338W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I2PAK
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
PSMN1R1
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
1727-5287
568-6715-5
568-6715-DG
2156-PSMN1R1-30EL,127-1727
568-6715
568-6715-5-DG
934065159127
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PMV50UPEVL
MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB
2SK3703-1EX
MOSFET N-CH TO220F
BUK9880-55,135
MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
