الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PSMN1R8-30BL,118
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PSMN1R8-30BL,118-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 270W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
7 قطع جديدة أصلية في المخزون
12830001
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PSMN1R8-30BL,118 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Cut Tape (CT)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.15V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
10180 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
270W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
PSMN1R8
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
PSMN1R8-30BL
مخططات البيانات
PSMN1R8-30BL,118
ورقة بيانات HTML
PSMN1R8-30BL,118-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
568-9482-2-DG
PSMN1R830BL118
2166-PSMN1R8-30BL,118-1727
568-9482-1
568-9482-1-DG
934066339118
1727-7112-1
568-9482-2
1727-7112-2
568-9482-6-DG
568-9482-6
1727-7112-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPB80N03S4L02ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IPB80N03S4L02ATMA1-DG
سعر الوحدة
1.20
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SUM90N03-2M2P-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1612
DiGi رقم الجزء
SUM90N03-2M2P-E3-DG
سعر الوحدة
1.59
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUK9Y15-100E,115
MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56
PSMN075-100MSEX
MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
BUK6D56-60EX
MOSFET N-CH 60V 4A/11A 6DFN
PH6325L,115
MOSFET N-CH 25V 78.7A LFPAK56