رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PSMN1R8-30PL,127
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PSMN1R8-30PL,127-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 270W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
4946 قطع جديدة أصلية في المخزون
12907235
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PSMN1R8-30PL,127 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.15V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
10180 pF @ 12 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
270W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
PSMN1R8
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
NEXNXPPSMN1R8-30PL,127
568-5234
5202-PSMN1R8-30PL,127TR
2156-PSMN1R8-30PL,127-NEX
568-5234-DG
568-5234-5
568-5234-5-DG
934064002127
PSMN1R830PL127
1727-4388
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRLB3813PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
5741
DiGi رقم الجزء
IRLB3813PBF-DG
سعر الوحدة
0.70
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFH100N30X3
MOSFET N-CH 300V 100A TO247
ZVN4306GVTA
MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
IRLI530GPBF
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3
