رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PSMN3R5-80YSFX
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PSMN3R5-80YSFX-DG
وصف:
NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 150A (Ta) 294W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
المخزون:
10634 قطع جديدة أصلية في المخزون
12965574
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PSMN3R5-80YSFX المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
150A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
7V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7227 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
294W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
LFPAK56, Power-SO8
العبوة / العلبة
SOT-1023, 4-LFPAK
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
934661574115
1727-PSMN3R5-80YSFXCT
5202-PSMN3R5-80YSFXTR
1727-PSMN3R5-80YSFXDKR
1727-PSMN3R5-80YSFXTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI7117DN-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
SI3473DDV-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
PJA3409_R1_00001
SOT-23, MOSFET
