رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PSMN3R8-100BS,118
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PSMN3R8-100BS,118-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 306W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
16656 قطع جديدة أصلية في المخزون
12829447
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PSMN3R8-100BS,118 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9900 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
306W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
PSMN3R8
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
568-9479-2
568-9479-1-DG
568-9479-2-DG
568-9479-6
5202-PSMN3R8-100BS,118TR
568-9479-6-DG
1727-7109-6
1727-7109-2
PSMN3R8100BS118
934065178118
1727-7109-1
568-9479-1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PSMN4R8-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
PSMN0R9-25YLDX
MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
BUK753R1-40E,127
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
