رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PSMN4R6-60BS,118
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PSMN4R6-60BS,118-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 211W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
10374 قطع جديدة أصلية في المخزون
12831530
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PSMN4R6-60BS,118 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
70.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4426 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
211W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
PSMN4R6
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
934066334118
5202-PSMN4R6-60BS,118TR
568-9492-2
PSMN4R660BS118
568-9492-1
1727-7122-1
1727-7122-2
568-9492-6
568-9492-6-DG
568-9492-1-DG
1727-7122-6
568-9492-2-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUK9Y30-75B/C2,115
MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK56
BUK7C06-40AITE,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
PSMN2R0-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
