رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PSMN7R0-100BS,118
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PSMN7R0-100BS,118-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 269W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
3063 قطع جديدة أصلية في المخزون
12921102
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PSMN7R0-100BS,118 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6686 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
269W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
PSMN7R0
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
568-9705-2
568-9705-1
2156-PSMN7R0-100BS,118-NEX
5202-PSMN7R0-100BS,118TR
934066207118
PSMN7R0-100BS,118-DG
2156-PSMN7R0-100BS,118
NEXNXPPSMN7R0-100BS,118
568-9705-2-DG
PSMN7R0100BS118
1727-7214-1
1727-7214-2
568-9705-6-DG
568-9705-1-DG
NEXNEXPSMN7R0-100BS,118
568-9705-6
1727-7214-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDP040N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
SIHA240N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
SUP57N20-33-E3
MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
