رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PSMN7R0-60YS,115
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PSMN7R0-60YS,115-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 89A LFPAK56
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 89A (Tc) 117W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
المخزون:
58809 قطع جديدة أصلية في المخزون
12832613
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PSMN7R0-60YS,115 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
89A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2712 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
117W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
LFPAK56, Power-SO8
العبوة / العلبة
SC-100, SOT-669
رقم المنتج الأساسي
PSMN7R0
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
568-5596-1-DG
5202-PSMN7R0-60YS,115TR
568-5596-1
568-5596-2-DG
568-5596-6
568-5596-6-DG
1727-4635-2
934064403115
1727-4635-1
568-5596-2
1727-4635-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ON5194,127
MOSFET POWER TRENCH I2PAK
PMZ130UNEYL
MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
PSMN2R6-30YLC,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56