رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PSMN8R5-100ESFQ
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PSMN8R5-100ESFQ-DG
وصف:
MOSFET N-CHANNEL 100V 97A I2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 97A (Ta) 183W (Ta) Through Hole I2PAK
المخزون:
12829660
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PSMN8R5-100ESFQ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
97A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
7V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3181 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
183W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I2PAK
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-PSMN8R5-100ESFQ-1727
934070403127
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PMH600UNEH
MOSFET N-CH 20V 800MA DFN0606-3
BUK714R1-40BT,118
MOSFET N-CH 40V 75A SOT426
PSMN2R0-60PSRQ
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
