الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PUMH11/ZLF
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PUMH11/ZLF-DG
وصف:
TRANS PREBIAS
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12827633
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PUMH11/ZLF المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
10kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
30 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
150mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA
التردد - الانتقال
230MHz
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
6-TSSOP
رقم المنتج الأساسي
PUMH11
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
PUMH11
مخططات البيانات
PUMH11/ZLF
ورقة بيانات HTML
PUMH11/ZLF-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
OBSOLETE
HTSUS
0000.00.0000
نماذج بديلة
رقم الجزء
UMH11NTN
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
5963
DiGi رقم الجزء
UMH11NTN-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DCX114EU-13R-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
9650
DiGi رقم الجزء
DCX114EU-13R-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RN4902,LF(CT
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
2284
DiGi رقم الجزء
RN4902,LF(CT-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDC114EU-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
5780
DiGi رقم الجزء
DDC114EU-7-F-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PUMH11F
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
9660
DiGi رقم الجزء
PUMH11F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PEMH10,115
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
PUMD6/ZLX
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
PQMH13Z
TRANS PREBIAS 2NPN DFN1010B-6
PEMH19,115
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666