رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PXN6R7-30QLJ
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PXN6R7-30QLJ-DG
وصف:
PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 12.7A (Ta), 62A (Tc) 1.7W (Ta), 40.3W (Tc) Surface Mount MLPAK33
المخزون:
121 قطع جديدة أصلية في المخزون
12950090
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PXN6R7-30QLJ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12.7A (Ta), 62A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.7mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1150 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
MLPAK33
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
934661601118
1727-PXN6R7-30QLJCT
5202-PXN6R7-30QLJTR
1727-PXN6R7-30QLJTR
1727-PXN6R7-30QLJDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NXV55UNR
NXV55UN/SOT23/TO-236AB
TP65H070LSG-TR
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
IPP65R155CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
