رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PXP012-30QLJ
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PXP012-30QLJ-DG
وصف:
P-CHANNEL TRENCH MOSFET
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 8.9A (Ta), 38.8A (Tc) 1.7W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount MLPAK33
المخزون:
7256 قطع جديدة أصلية في المخزون
12997487
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PXP012-30QLJ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.9A (Ta), 38.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12.8mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
43.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1400 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.7W (Ta), 32W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
MLPAK33
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
934663638118
5202-PXP012-30QLJTR
1727-PXP012-30QLJTR
1727-PXP012-30QLJDKR
1727-PXP012-30QLJCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FBG10N30BC
GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
FDC638P-P
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
2N7002HWX
2N7002HW/SOT323/SC-70
