رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N3583
Product Overview
المُصنّع:
NTE Electronics, Inc
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N3583-DG
وصف:
TRANS NPN 175V 0.01A TO66
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 175 V 10 mA 35 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
المخزون:
67 قطع جديدة أصلية في المخزون
12925875
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N3583 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
تعبئة
Bag
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
10 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
175 V
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10mA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
40 @ 500mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
35 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 200°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-213AA, TO-66-2
حزمة جهاز المورد
TO-66 (TO-213AA)
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2368-2N3583
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
