رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTE190
Product Overview
المُصنّع:
NTE Electronics, Inc
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTE190-DG
وصف:
TRANS NPN 180V 1A TO202N
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 180 V 1 A 35MHz 10 W Through Hole TO-202N
المخزون:
2 قطع جديدة أصلية في المخزون
12923046
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTE190 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
تعبئة
Bag
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
1 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
180 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 20mA, 200mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
40 @ 10mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
10 W
التردد - الانتقال
35MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-202 Long Tab
حزمة جهاز المورد
TO-202N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2368-NTE190
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
