رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BST72A,112
Product Overview
المُصنّع:
NXP USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
BST72A,112-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 190MA TO92-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
المخزون:
13066455
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BST72A,112 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
NXP Semiconductors
تعبئة
-
سلسلة
TrenchMOS™
التغليف
Bulk
حالة الجزء
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
190mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 1mA
Vgs (ماكس)
20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
40 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
830mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
رقم المنتج الأساسي
BST7
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
933710530112
BST72A-ND
BST72A
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQN1N50CTA
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
3302
DiGi رقم الجزء
FQN1N50CTA-DG
سعر الوحدة
0.24
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
ZVN3310A
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2486
DiGi رقم الجزء
ZVN3310A-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
ZVN3310ASTZ
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
ZVN3310ASTZ-DG
سعر الوحدة
0.24
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSH112,235
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
BUK9528-100A,127
MOSFET N-CH 100V 49A TO220AB
BUK98150-55A,135
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223