رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BUJ303B,127
Product Overview
المُصنّع:
NXP USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
BUJ303B,127-DG
وصف:
NOW WEEN - BUJ303B - POWER BIPOL
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 5 A 100 W Through Hole TO-220AB
المخزون:
5278 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946360
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BUJ303B,127 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
NXP Semiconductors
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
5 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
400 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.5V @ 1A, 3A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
23 @ 800mA, 3V
الطاقة - الحد الأقصى
100 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
859
اسماء اخرى
2156-BUJ303B,127
WENNXPBUJ303B,127
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSP31,115
NOW NEXPERIA BSP31 - POWER BIPOL
2PB709ART,215
NOW NEXPERIA 2PB709ART - SMALL S
2SA673B-E
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,