رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BUK954R4-80E,127
Product Overview
المُصنّع:
NXP USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
BUK954R4-80E,127-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
13066289
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BUK954R4-80E,127 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
NXP Semiconductors
تعبئة
-
سلسلة
TrenchMOS™
التغليف
Tube
حالة الجزء
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
123 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
17130 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
349W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
BUK95
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
934066523127
BUK954R480E127
2156-BUK954R4-80E127-NX
568-9865-5
NEXNXPBUK954R4-80E,127
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP140N8F7
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
990
DiGi رقم الجزء
STP140N8F7-DG
سعر الوحدة
1.37
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
AOT284L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOT284L-DG
سعر الوحدة
1.13
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUK7E2R7-30B,127
MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
BUK9E04-30B,127
MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
BUK9506-55B,127
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB