رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BUK9C3R8-80EJ
Product Overview
المُصنّع:
NXP USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
BUK9C3R8-80EJ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V D2PAK-7
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V Surface Mount D2PAK-7
المخزون:
12810040
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BUK9C3R8-80EJ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
NXP Semiconductors
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK-7
العبوة / العلبة
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
رقم المنتج الأساسي
BUK9C3
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
934067486118
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUK7Y25-80E/GFX
MOSFET N-CH 80V 39A LFPAK56
BUK95150-55A,127
MOSFET N-CH 55V 13A TO220AB
IRF640,127
MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
