رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PBSS4230QAZ
Product Overview
المُصنّع:
NXP Semiconductors
رقم الجزء DiGi Electronics:
PBSS4230QAZ-DG
وصف:
NEXPERIA PBSS4230QA - 30V, 2A NP
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 2 A 190MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3
المخزون:
335000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12967632
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PBSS4230QAZ المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
NXP Semiconductors
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
30 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
190mV @ 50mA, 1A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 2A, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
325 mW
التردد - الانتقال
190MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
3-XDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد
DFN1010D-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,904
اسماء اخرى
2156-PBSS4230QAZ-954
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2N3904RLRAH
2N3904 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TR
KSD2012GTU
TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
PBSS4220V,115
NEXPERIA PBSS4220V - SMALL SIGNA
