رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PBSS5230QAZ
Product Overview
المُصنّع:
NXP Semiconductors
رقم الجزء DiGi Electronics:
PBSS5230QAZ-DG
وصف:
NEXPERIA PBSS5230QA - 30 V, 2 A
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 2 A 170MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3
المخزون:
554308 قطع جديدة أصلية في المخزون
12996639
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PBSS5230QAZ المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
NXP Semiconductors
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
30 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
210mV @ 50mA, 1A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
60 @ 2A, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
325 mW
التردد - الانتقال
170MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
3-XDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد
DFN1010D-3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,691
اسماء اخرى
2156-PBSS5230QAZ-954
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SD1830
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10
PBSS5612PA,115
NEXPERIA PBSS5612PA - SMALL SIGN
2SA2022
2SA2022 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
