رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PDTB143EU115
Product Overview
المُصنّع:
NXP Semiconductors
رقم الجزء DiGi Electronics:
PDTB143EU115-DG
وصف:
TRANS PREBIAS
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 140 MHz 300 mW Surface Mount SOT-323
المخزون:
12948025
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PDTB143EU115 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
NXP Semiconductors
تعبئة
-
سلسلة
PDTB1xxxU
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
4.7 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
60 @ 50mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
140 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
300 mW
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-70, SOT-323
حزمة جهاز المورد
SOT-323
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,036
اسماء اخرى
2156-PDTB143EU115
NEXNXPPDTB143EU115
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PDTC114TMB315
TRANS PREBIAS
DTA143XCA-HF
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
PDTC123JM,315
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN