رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PDTC123ET,215
Product Overview
المُصنّع:
NXP USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PDTC123ET,215-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount SOT-23
المخزون:
20221 قطع جديدة أصلية في المخزون
12947681
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PDTC123ET,215 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
NXP Semiconductors
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
2.2 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
2.2 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
30 @ 20mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
150mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA
الطاقة - الحد الأقصى
250 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
SOT-23
رقم المنتج الأساسي
PDTC123
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
15,000
اسماء اخرى
NEXNXPPDTC123ET,215
2156-PDTC123ET,215
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PDTA114TM315
TRANS PREBIAS
PDTA124EMB,315
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
DTC143ZCA-HF
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3