الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PHP47NQ10T,127
Product Overview
المُصنّع:
NXP USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PHP47NQ10T,127-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 47A (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12812513
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PHP47NQ10T,127 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
NXP Semiconductors
تعبئة
-
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
47A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
28mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
66 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3100 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
PHP47
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
PHP47NQ10T-DG
PHP47NQ10T
934056744127
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF3710PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
3201
DiGi رقم الجزء
IRF3710PBF-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
AUIRF540Z
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2924
DiGi رقم الجزء
AUIRF540Z-DG
سعر الوحدة
1.03
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP60NF10
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
980
DiGi رقم الجزء
STP60NF10-DG
سعر الوحدة
1.23
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP40NF10L
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
787
DiGi رقم الجزء
STP40NF10L-DG
سعر الوحدة
1.14
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP40NF10
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
569
DiGi رقم الجزء
STP40NF10-DG
سعر الوحدة
0.95
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PMF250XN,115
MOSFET N-CH 30V 900MA SOT323-3
PHU101NQ03LT,127
MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
PHD21N06LT,118
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
PHU66NQ03LT,127
MOSFET N-CH 25V 66A IPAK