رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PMZB1200UPEYL
Product Overview
المُصنّع:
NXP Semiconductors
رقم الجزء DiGi Electronics:
PMZB1200UPEYL-DG
وصف:
NEXPERIA PMZB1200U - 30V, P-CHAN
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 410mA (Ta) 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
المخزون:
604195 قطع جديدة أصلية في المخزون
12968027
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PMZB1200UPEYL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
NXP Semiconductors
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
410mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
950mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.2 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
43.2 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
310mW (Ta), 1.67W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DFN1006B-3
العبوة / العلبة
3-XFDFN
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
7,713
اسماء اخرى
2156-PMZB1200UPEYL-954
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MCB40P10Y-TP
P-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
PHP27NQ11T,127
NEXPERIA PHP27NQ11T - 27.6A, 110
PMZB370UNE,315
NEXPERIA PMZB370UNE - SMALL SIGN