PUMD12/L135
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

PUMD12/L135

Product Overview

المُصنّع:

NXP USA Inc.

رقم الجزء DiGi Electronics:

PUMD12/L135-DG

وصف:

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

المخزون:

12934779
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

PUMD12/L135 المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
NXP Semiconductors
تعبئة
-
سلسلة
*
حالة المنتج
Active

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
8,876
اسماء اخرى
NEXNXPPUMD12/L135
2156-PUMD12/L135

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
Not applicable
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
nxp-semiconductors

PUMB9/ZL115

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

panasonic

UP04311G0L

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

nxp-semiconductors

PUMH11/ZL135

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

nxp-semiconductors

PUMH10/ZL115

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR