الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N6517BU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N6517BU-DG
وصف:
TRANS NPN 350V 0.5A TO92-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 500 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
المخزون:
19568 قطع جديدة أصلية في المخزون
12833307
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N6517BU المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
350 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1V @ 5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
50nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
20 @ 50mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
625 mW
التردد - الانتقال
200MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
رقم المنتج الأساسي
2N6517
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
2N6515,17,20
مخططات البيانات
2N6517BU
ورقة بيانات HTML
2N6517BU-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
2832-2N6517BU
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
ZTX657
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
ZTX657-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
ZTX658STZ
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
ZTX658STZ-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
ZTX457
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
7705
DiGi رقم الجزء
ZTX457-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
ZTX657STZ
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
ZTX657STZ-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BC213
TRANS PNP 30V 0.5A TO92-3
BC857BWT1G
TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
PBSS4041NX,115
TRANS NPN 60V 6.2A SOT89
2N4401RLRAG
TRANS NPN 40V 0.6A TO92