رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N7002LT7G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N7002LT7G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 115mA (Tc) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
المخزون:
52469 قطع جديدة أصلية في المخزون
12836419
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N7002LT7G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
115mA (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
50 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
225mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3 (TO-236)
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
2N7002
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,500
اسماء اخرى
2N7002LT7G-DG
488-2N7002LT7GTR
488-2N7002LT7GCT
488-2N7002LT7GDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SJ661-1E
MOSFET P-CH 60V 38A TO262-3
FQP5N60C
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
2SK4177-DL-1E
MOSFET N-CH 1500V 2A TO263-2
