رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SB1215T-N-TL-E
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SB1215T-N-TL-E-DG
وصف:
2SB1215 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 130MHz 1 W Surface Mount 2-TP-FA
المخزون:
9800 قطع جديدة أصلية في المخزون
12967882
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SB1215T-N-TL-E المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
3 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 150mA, 1.5A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
200 @ 500mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
1 W
التردد - الانتقال
130MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
درجة
-
تأهيل
-
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
2-TP-FA
معلومات إضافية
الباقة القياسية
919
اسماء اخرى
2156-2SB1215T-N-TL-E-488
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Vendor Undefined
حالة الوصول
REACH Unaffected
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2PB709BSL,215
NEXPERIA 2PB709 - SMALL SIGNAL B
MPSA92RLRMG
MPSA92 - MPSA92 - PNP BIPOLAR SM
2PA1576Q,115
NEXPERIA 2PA1576Q - SMALL SIGNAL