الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SD2281R
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SD2281R-DG
وصف:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 12 A 10MHz 3 W Through Hole TO-3PML
المخزون:
5455 قطع جديدة أصلية في المخزون
12936276
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SD2281R المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
12 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
400mV @ 300mA, 6A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 1A, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
3 W
التردد - الانتقال
10MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
درجة
-
تأهيل
-
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-3P-3 Full Pack
حزمة جهاز المورد
TO-3PML
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
Datasheet
معلومات إضافية
الباقة القياسية
296
اسماء اخرى
2156-2SD2281R
ONSONS2SD2281R
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MMBT5089
TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3
2SD1725T
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
2SD1936T-SSH
BIP NPN 0.8A 15V
PMBTA06/6235
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR