رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SD896D
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SD896D-DG
وصف:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 7 A 15MHz 70 W Through Hole TO-3PB
المخزون:
7041 قطع جديدة أصلية في المخزون
12938225
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SD896D المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
7 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
2V @ 400mA, 4A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
60 @ 1A, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
70 W
التردد - الانتقال
15MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
درجة
-
تأهيل
-
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
حزمة جهاز المورد
TO-3PB
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
267
اسماء اخرى
2156-2SD896D
ONSONS2SD896D
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
Not applicable
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PMBT3906/DG215
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
MPSA56_D26Z
TRANS PNP 80V 0.5A TO92-3
2SD863F-AE
BIP NPN 1A 50V
