الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BC859BLT1
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
BC859BLT1-DG
وصف:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12851009
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BC859BLT1 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
30 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
650mV @ 5mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
15nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
220 @ 2mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
300 mW
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3 (TO-236)
رقم المنتج الأساسي
BC859
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
BC856ALT1G Series
مخططات البيانات
BC859BLT1
ورقة بيانات HTML
BC859BLT1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
BCW30,235
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
9980
DiGi رقم الجزء
BCW30,235-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BC859B,215
المُصنِّع
NXP Semiconductors
الكمية المتاحة
9498000
DiGi رقم الجزء
BC859B,215-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
FMMT589TA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
23590
DiGi رقم الجزء
FMMT589TA-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BC858BE6327HTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
BC858BE6327HTSA1-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BC858B,235
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4841
DiGi رقم الجزء
BC858B,235-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Upgrade
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MPS651RLRAG
TRANS NPN 60V 2A TO92
MPSA56RLRA
TRANS PNP SS GP 80V TO92
KSA709YTA
TRANS PNP 150V 0.7A TO92-3
BD538K
TRANS PNP 80V 8A TO220-3