رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSS138L
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSS138L-DG
وصف:
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
12851357
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
M3vX
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSS138L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
200mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.75V, 5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.5Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
50 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
350mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
BSS138
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSS138LDKR
BSS138LTR
BSS138LCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PJA138K_R1_00001
المُصنِّع
Panjit International Inc.
الكمية المتاحة
298899
DiGi رقم الجزء
PJA138K_R1_00001-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSS138Q-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
23771
DiGi رقم الجزء
BSS138Q-7-F-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSS7728NH6327XTSA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
9347
DiGi رقم الجزء
BSS7728NH6327XTSA2-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRLM210ATF
MOSFET N-CH 200V 770MA SOT223-4
FDD770N15A
MOSFET N CH 150V 18A DPAK
MCH3377-TL-E
MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3
