DTC123JET1G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DTC123JET1G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

DTC123JET1G-DG

وصف:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416

المخزون:

5909 قطع جديدة أصلية في المخزون
12846605
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DTC123JET1G المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
2.2 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 1mA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
الطاقة - الحد الأقصى
200 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-75, SOT-416
حزمة جهاز المورد
SC-75, SOT-416
رقم المنتج الأساسي
DTC123

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DTC123JET1GOSCT
ONSONSDTC123JET1G
2156-DTC123JET1G-OS
DTC123JET1G-DG
DTC123JET1GOSTR
DTC123JET1GOSDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

DTC114EM3T5G

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

onsemi

DTA144EET1G

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75

onsemi

FJN3306RTA

TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3

onsemi

DTC114TM3T5G

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723