رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DTC123JET1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
DTC123JET1G-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416
المخزون:
5909 قطع جديدة أصلية في المخزون
12846605
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DTC123JET1G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
2.2 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 1mA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
الطاقة - الحد الأقصى
200 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-75, SOT-416
حزمة جهاز المورد
SC-75, SOT-416
رقم المنتج الأساسي
DTC123
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DTC123JET1GOSCT
ONSONSDTC123JET1G
2156-DTC123JET1G-OS
DTC123JET1G-DG
DTC123JET1GOSTR
DTC123JET1GOSDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DTC114EM3T5G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
DTA144EET1G
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
FJN3306RTA
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3