رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ECH8659-TL-W
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
ECH8659-TL-W-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 7A SOT28
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 7A 1.3W Surface Mount SOT-28FL/ECH8
المخزون:
12925929
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ECH8659-TL-W المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate, 4V Drive
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
24mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.6V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11.8nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
710pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
1.3W
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
حزمة جهاز المورد
SOT-28FL/ECH8
رقم المنتج الأساسي
ECH8659
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
ECH8659-TL-WOSTR
ECH8659-TL-W-DG
ECH8659-TL-WOSCT
2832-ECH8659-TL-W
ECH8659-TL-WOSDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
ECH8657-TL-H
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2813
DiGi رقم الجزء
ECH8657-TL-H-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EFC6602R-A-TR
MOSFET 2N-CH EFCP2718
NDS9953A
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
SSM14N956L,EFF
MOSFET 2N-CH 12V 20A TCSPED
