الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EFC2K103NUZTDG
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
EFC2K103NUZTDG-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 12V 40A 10WLCSP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 12V 40A (Ta) 3.3W (Ta) Surface Mount 10-WLCSP (3.54x1.77)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12837974
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EFC2K103NUZTDG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual) Common Drain
ميزة FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.8mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
62nC @ 6V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
الطاقة - الحد الأقصى
3.3W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
10-SMD, No Lead
حزمة جهاز المورد
10-WLCSP (3.54x1.77)
رقم المنتج الأساسي
EFC2K103
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
EFC2K103NUZ
مخططات البيانات
EFC2K103NUZTDG
ورقة بيانات HTML
EFC2K103NUZTDG-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
EFC2K103NUZTDGOSTR
2156-EFC2K103NUZTDG
1990-EFC2K103NUZTDGTR
EFC2K103NUZTDGOSDKR
1990-EFC2K103NUZTDGDKR
EFC2K103NUZTDGOSCT
1990-EFC2K103NUZTDGCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EFC8822R-TF
MOSFET N-CH DUAL 6CSP
CPH5617-TL-E
MOSFET 2N-CH 30V 0.15A 5CPH
ECH8661-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8ECH
SI3134KDW-TP
MOSFET 2N-CH 20V 0.75A SOT363