الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EFC2K107NUZTCG
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
EFC2K107NUZTCG-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 12V 20A 10WLCSP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 12V 20A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 10-WLCSP (1.84x1.96)
المخزون:
4747 قطع جديدة أصلية في المخزون
12837009
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EFC2K107NUZTCG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual) Common Drain
ميزة FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.85mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30nC @ 3.8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
الطاقة - الحد الأقصى
1.8W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
10-SMD, No Lead
حزمة جهاز المورد
10-WLCSP (1.84x1.96)
رقم المنتج الأساسي
EFC2K107
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
EFC2K107NUZ
مخططات البيانات
EFC2K107NUZTCG
ورقة بيانات HTML
EFC2K107NUZTCG-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
EFC2K107NUZTCGOSDKR
2832-EFC2K107NUZTCGTR
EFC2K107NUZTCGOSTR
EFC2K107NUZTCGOSCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMS3602S
MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56
FDC6036P
MOSFET 2P-CH 20V 5A SSOT6
EFC4618R-TR
MOSFET 2N-CH EFCP1818
FDMS3606S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56