الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCH47N60
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCH47N60-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12848672
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCH47N60 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
SuperFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
47A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
70mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
417W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
FCH47
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STW50N65DM2AG
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
600
DiGi رقم الجزء
STW50N65DM2AG-DG
سعر الوحدة
3.94
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW42N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
587
DiGi رقم الجزء
STW42N65M5-DG
سعر الوحدة
5.58
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SPW47N60C3FKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2038
DiGi رقم الجزء
SPW47N60C3FKSA1-DG
سعر الوحدة
9.11
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFX80N60P3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
3
DiGi رقم الجزء
IXFX80N60P3-DG
سعر الوحدة
11.27
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SCT3060ALGC11
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SCT3060ALGC11-DG
سعر الوحدة
8.04
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDB9406L-F085
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
AOD2N60
MOSFET N-CH 600V 2A TO252
AO3442
MOSFET N-CH 100V 1A SOT23-3L
FDB8442
MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB