FCI7N60
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FCI7N60

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FCI7N60-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

المخزون:

990 قطع جديدة أصلية في المخزون
12851184
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FCI7N60 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperFET™
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
920 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262 (I2PAK)
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
FCI7

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDS5672

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

onsemi

HUFA76633P3

MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3

onsemi

FDMC4435BZ

MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP

onsemi

FDS6673BZ-F085

MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC