الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCP4N60
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCP4N60-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 3.9A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
268 قطع جديدة أصلية في المخزون
12837463
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCP4N60 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
540 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FCP4
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FCP4N60
مخططات البيانات
FCP4N60
ورقة بيانات HTML
FCP4N60-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDS3590
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1843
DiGi رقم الجزء
FDS3590-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP7N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2571
DiGi رقم الجزء
STP7N60M2-DG
سعر الوحدة
0.49
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPP80R900P7XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IPP80R900P7XKSA1-DG
سعر الوحدة
0.56
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP6N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
26
DiGi رقم الجزء
STP6N60M2-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP6N62K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
54
DiGi رقم الجزء
STP6N62K3-DG
سعر الوحدة
0.72
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQD630TM
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
FDPF3N50NZ
MOSFET N-CH 500V 3A TO220F
FQB27N25TM-F085
MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
HUF75545S3S
MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK