رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCPF2250N80Z
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCPF2250N80Z-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 21.9W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
12848773
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCPF2250N80Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperFET® II
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 260µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
585 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
21.9W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FCPF2250
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
2832-FCPF2250N80Z
2832-FCPF2250N80Z-488
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
R8003KNXC7G
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
477
DiGi رقم الجزء
R8003KNXC7G-DG
سعر الوحدة
0.99
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AO4310
MOSFET N-CH 36V 27A 8SOIC
FQP4N50
MOSFET N-CH 500V 3.4A TO220-3
IPD30N03S2L20ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31
