الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCPF7N60
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCPF7N60-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
988 قطع جديدة أصلية في المخزون
12846442
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCPF7N60 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperFET™
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
920 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
31W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FCPF7
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FCP7N60, FCPF7N60
مخططات البيانات
FCPF7N60
ورقة بيانات HTML
FCPF7N60-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2166-FCPF7N60-488
FCPF7N60_NL-DG
FCPF7N60-NDR
FCPF7N60_NL
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF10NM60N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
553
DiGi رقم الجزء
STF10NM60N-DG
سعر الوحدة
1.34
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R6007ENX
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
129
DiGi رقم الجزء
R6007ENX-DG
سعر الوحدة
0.92
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK560A65Y,S4X
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
5
DiGi رقم الجزء
TK560A65Y,S4X-DG
سعر الوحدة
0.60
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
STP6NK60ZFP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
875
DiGi رقم الجزء
STP6NK60ZFP-DG
سعر الوحدة
1.05
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF10N60DM2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1435
DiGi رقم الجزء
STF10N60DM2-DG
سعر الوحدة
0.69
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMS86520L
MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
FDP150N10
MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
IRF740B
MOSFET N-CH 400V 10A TO220-3
FCPF600N60Z
MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220F