رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDA20N50-F109
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDA20N50-F109-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-3PN
المخزون:
12846489
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDA20N50-F109 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UniFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
230mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
59.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3120 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
280W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PN
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FDA20N50
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
FDA20N50_F109
FDA20N50_F109-DG
ONSONSFDA20N50-F109
FDA20N50
2156-FDA20N50-F109-OS
FDA20N50-DG
2832-FDA20N50-F109
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTQ26N50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTQ26N50P-DG
سعر الوحدة
3.47
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTQ22N50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
302
DiGi رقم الجزء
IXTQ22N50P-DG
سعر الوحدة
2.74
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTQ460P2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
73
DiGi رقم الجزء
IXTQ460P2-DG
سعر الوحدة
2.96
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOTF13N50
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3F
HUFA76407D3ST
MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
FDMS1D4N03S
MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
