FDA28N50
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDA28N50

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDA28N50-DG

وصف:

MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 28A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN

المخزون:

53 قطع جديدة أصلية في المخزون
12839789
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDA28N50 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
UniFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
28A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
155mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5140 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
310W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PN
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FDA28

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
FDA28N50
مخططات البيانات
FDA28N50
ورقة بيانات HTML
FDA28N50-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDS8876

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

onsemi

FQU13N06TU

MOSFET N-CH 60V 10A IPAK

onsemi

FDB3682

MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263

onsemi

FDMC8884-F126

MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP