FDA69N25
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDA69N25

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDA69N25-DG

وصف:

MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 69A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3PN

المخزون:

800 قطع جديدة أصلية في المخزون
12850654
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDA69N25 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
UniFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
69A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
41mOhm @ 34.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4640 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
480W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PN
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FDA69

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
2156-FDA69N25-OS

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FQD10N20CTM_F080

MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

onsemi

HUF75623P3

MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3

onsemi

IRLR130ATM

MOSFET N-CH 100V 13A DPAK

onsemi

FDMC7660S

MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33