رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDA8440
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDA8440-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TO3PN
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 30A (Ta), 100A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-3PN
المخزون:
12848780
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDA8440 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Ta), 100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
450 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
24740 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
306W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PN
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FDA84
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
2156-FDA8440-OS
FAIFSCFDA8440
2832-FDA8440-488
2832-FDA8440
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFP4004PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1493
DiGi رقم الجزء
IRFP4004PBF-DG
سعر الوحدة
2.44
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTD110N02R-001
MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK
AOWF12N60
MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
AOW482
MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO262
