FDB3502
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDB3502

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDB3502-DG

وصف:

MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 6A (Ta), 14A (Tc) 3.1W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

المخزون:

705 قطع جديدة أصلية في المخزون
12846123
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDB3502 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Ta), 14A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
47mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
815 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 41W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FDB350

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
FDB3502
مخططات البيانات
FDB3502
ورقة بيانات HTML
FDB3502-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FDB3502CT
2166-FDB3502-488
FDB3502DKR
FDB350CT
FDB3502TR
FDB350CT-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
PSMN005-75B,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4338
DiGi رقم الجزء
PSMN005-75B,118-DG
سعر الوحدة
1.18
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN008-75B,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
5795
DiGi رقم الجزء
PSMN008-75B,118-DG
سعر الوحدة
0.80
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFZ34NSTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
3913
DiGi رقم الجزء
IRFZ34NSTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.54
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PHB29N08T,118
المُصنِّع
NXP Semiconductors
الكمية المتاحة
2600
DiGi رقم الجزء
PHB29N08T,118-DG
سعر الوحدة
0.43
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
alpha-and-omega-semiconductor

AOT10T60PL

MOSFET N-CH 600V 10A TO220

alpha-and-omega-semiconductor

AON6514

MOSFET N-CH 30V 23A/30A 8DFN

onsemi

IRFR130ATM

MOSFET N-CH 100V 13A DPAK

onsemi

FDBL0110N60

MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF