رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDB9403-F085
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDB9403-F085-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 110A (Tc) 333W (Tj) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
46 قطع جديدة أصلية في المخزون
12930475
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDB9403-F085 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
110A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
213 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
12700 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
333W (Tj)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FDB9403
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FDB9403-F085DKR
2832-FDB9403-F085TR
FDB9403-F085TR
FDB9403-F085CT
FDB9403_F085DKR
FDB9403_F085DKR-DG
FDB9403_F085TR-DG
FDB9403F085
FDB9403_F085TR
FDB9403_F085CT-DG
FDB9403_F085
FDB9403_F085CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVMFS5C420NT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NVMFS5C420NT1G-DG
سعر الوحدة
1.44
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOI538
MOSFET N-CH 30V 34A/70A TO251A
AOT8N60
MOSFET N-CH 600V 8A TO220
HUFA76439S3ST
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
