FDC2512_F095
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDC2512_F095

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDC2512_F095-DG

وصف:

MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 1.4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

المخزون:

12837902
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDC2512_F095 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
425mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
344 pF @ 75 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SuperSOT™-6
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
FDC2512

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IRF5802TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
8278
DiGi رقم الجزء
IRF5802TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDPF390N15A

MOSFET N-CH 150V 15A TO220F

onsemi

HUFA76609D3S

MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA

onsemi

FQD13N10LTF

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

onsemi

FQD20N06LETM

MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK